Nhóm nghiên cứu Nguyễn Thị Thúy, Vương Xuân Anh, Hà Việt Anh, Nguyễn Đức Chiến, Nguyễn Hữu Lâm, Trường đại học bách khoa Hà Nội đã nghiên cứu chế tạo dây nano silic bằng phương pháp bốc bay nhiệt và phương pháp phún xạ catod. Đặc biệt, phương pháp này chưa được đề cập trong bất kỳ tài liệu nào nghiên cứu về dây nano Si trên thế giới.
Trong những năm gần đây, những nghiên cứu về chế tạo và tính chất của cấu trúc nano một chiều, như dây nano hay ống nano phát triển mạnh mẽ vì chúng là nền tảng cơ bản của công nghệ nano. Một số những ứng dụng sử dụng cấu trúc nano một chiều đã được nghiên cứu như: thiết bị có cấu trúc nano, các thiết bị sử dụng chất nền linh hoạt và các ứng dụng cảm biến.
Dây nano Si được chế tạo với nhiều phương pháp khác nhau: epitaxy, bốc bay chùm điện tử, hỗ trợ từ nguồn laser, lắng đọng hóa học từ pha hơi (CVD)… chủ yếu đều dựa trên cơ chế hơi - lỏng - rắn (VLS) với vật liệu nguồn là Si. Trên giản đồ pha của hợp kim Au - Si, nhiệt độ nóng chảy của vàng (Au) và của Si (Si) tương ứng là 1064 độ C và 1414 độ C. Tuy nhiên khi chúng hình thành hợp kim (Au - Si), ở điểm cùng tinh (eutectic) thì nhiệt độ nóng chảy của hợp kim Au - Si rất thấp, vào khoảng 360 độ C. Nhiệt độ này thấp hơn nhiều nhiệt độ nóng chảy của từng vật liệu riêng rẽ và đây chính là cơ sở cho quá trình hình thành dây nano Si theo cơ chế VLS.
Nhóm nghiên cứu đã khảo sát sự hình thành hạt hợp kim xúc tác (Au - Si) trên đế Si, qua đó đã chế tạo thành công dây nano Si với hai phương pháp bốc bay nhiệt và phún xạ catod. Có những điểm khác nhau ở kết quả thực nghiệm hai phương pháp. Sự khác nhau này liên quan đến điều kiện công nghệ chế tạo: bề dày lớp xúc tác, điều kiện nâng và ủ nhiệt, điều kiện áp suất... Đặc biệt, họ đã chế tạo thành công dây nano Si bằng phương pháp phún xạ catod.