Những “siêu tụ điện silicon” này được phát triển bởi Cary Pint và các cộng sự của ông thuộc đại học Vanderbilt University, trong quá trình nghiên cứu nhóm nghiên cứu đã phủ một lớp silicon xốp cùng với cacbon, sau đó đem nung ở nhiệt độ 1500 độ F để tạo ra một siêu tụ điện từ silicon xốp. Quá trình nung chảy đã làm cho cacbon hình thành một lớp graphene với độ dày chỉ 1 nano mét, tuy nhiên quá trình này đã làm tăng đáng kể khả năng tích trữ điện năng trong các tụ điện.

Nhóm nghiên cứu hiện tạo ra các tụ điện từ các vật liệu dư thừa, hoặc còn sót lại từ các cảm biến, và pin mặt trời. Loại siêu tụ điện mới này sẽ giúp  hấp thụ và tích trữ năng lượng để cung cấp lại điện năng cho thiết bị trong giờ cao điểm.